MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 7 A, TO-220FP de 3 pines

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Código RS:
330-463
Referência do fabricante:
STF80N600K6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

STF

Encapsulado

TO-220FP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

23W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.6mm

Longitud

30.6mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

10.4 mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia de STMicroelectronics en tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

Carga de puerta ultrabaja

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