Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, N-Canal SCT10N120AG, VDSS 1.2 kV, ID 12 A, Hip-247, Reducción de 3 pines
- Código RS:
- 202-4803
- Referência do fabricante:
- SCT10N120AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-4803
- Referência do fabricante:
- SCT10N120AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.52Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión directa Vf | 4.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.15mm | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Altura | 34.95mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.52Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión directa Vf 4.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.15mm | ||
Longitud 15.75mm | ||
Altura 34.95mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
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