Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT10N120AG, VDSS 1200 V, ID 12 A, Hip-247, Reducción de 3 pines
- Código RS:
- 202-4803
- Referência do fabricante:
- SCT10N120AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-4803
- Referência do fabricante:
- SCT10N120AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.52Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión directa Vf | 4.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 34.95mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie SCT | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.52Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión directa Vf 4.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Longitud 15.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 34.95mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia
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