Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 16 A, Hip-247, Reducción de 3 pines
- Código RS:
- 202-4778
- Referência do fabricante:
- SCT20N120AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-4778
- Referência do fabricante:
- SCT20N120AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.52Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Tensión directa Vf | 3.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 153W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 15.8mm | |
| Anchura | 4.7 mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.52Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Tensión directa Vf 3.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 153W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 15.8mm | ||
Anchura 4.7 mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia
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