MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 33 A, Hip-247, Reducción de 3 pines
- Código RS:
- 202-5489
- Referência do fabricante:
- SCTW40N120G2VAG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-5489
- Referência do fabricante:
- SCTW40N120G2VAG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.105Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensión directa Vf | 3.4V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 290W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Altura | 34.95mm | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.105Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensión directa Vf 3.4V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 290W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Altura 34.95mm | ||
Longitud 15.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia
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