MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 350 A, Mejora, SO-8 de 4 pines

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Código RS:
200-6823
Referência do fabricante:
SQJA36EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

350A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

SQJA36EP

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.24mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

107nC

Disipación de potencia máxima Pd

500W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

6.25mm

Longitud

4.2mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Vishay SQJA36EP-T1_GE3 es un MOSFET de canal N de automoción 40V (D-S) de 175 °C.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

Certificación AEC-Q101

100 % RG y prueba UIS

La relación Qgd/QGS< 1 optimiza la conmutación

características

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