MOSFET, N-Canal Vishay SQJA36EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 350 A, Mejora, SO-8 de 4 pines
- Código RS:
- 200-6823
- Referência do fabricante:
- SQJA36EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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*preço indicativo
- Código RS:
- 200-6823
- Referência do fabricante:
- SQJA36EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SQJA36EP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.24mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 107nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.1mm | |
| Altura | 6.25mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 4.2mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SQJA36EP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.24mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 107nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.1mm | ||
Altura 6.25mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 4.2mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Vishay SQJA36EP-T1_GE3 es un MOSFET de canal N de automoción 40V (D-S) de 175 °C.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Certificación AEC-Q101
100 % RG y prueba UIS
La relación Qgd/QGS< 1 optimiza la conmutación
características
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