MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL45N60DM6, VDSS 600 V, ID 25 A, Mejora, PowerFLAT de 5 pines
- Código RS:
- 192-4899
- Referência do fabricante:
- STL45N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 110mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 160W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Altura | 0.9mm | |
| Anchura | 8.1 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 160W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 8.1mm | ||
Altura 0.9mm | ||
Anchura 8.1 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Este MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida DM6 de MDmesh™. En comparación con la generación rápida anterior de MDmesh, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con un comportamiento de conmutación eficaz para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
RDS(on) inferior por área frente a la generación anterior
Baja carga de compuerta, capacitancia de entrada y resistencia
Muy alta resistencia dv/dt
Protección Zener
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