MOSFET sencillos, Tipo N-Canal STMicroelectronics ST8L60N065DM9, VDSS 600 V, ID 39 A, Mejora, PowerFLAT de 5 pines
- Código RS:
- 648-108
- Referência do fabricante:
- ST8L60N065DM9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 648-108
- Referência do fabricante:
- ST8L60N065DM9
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 39A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | ST8L60 | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 66nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 202W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 8.10mm | |
| Altura | 0.95mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 39A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie ST8L60 | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 66nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 202W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 8.10mm | ||
Altura 0.95mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh DM9 de superjunción más innovadora, adecuada para MOSFET de tensión media/alta con RDS(on) muy bajo por área acoplado a un diodo de recuperación rápida. La tecnología DM9, basada en silicio, se beneficia de un proceso de fabricación multidrenaje que permite mejorar la estructura del dispositivo. El diodo de recuperación rápida con carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo (trr) y RDS(on) hace que este MOSFET de potencia de superjunción de conmutación rápida se adapte a las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y a los convertidores de cambio de fase ZVS.
Carga de puerta baja
Baja capacitancia y resistencia de entrada
100 % a prueba de avalanchas
Excelente rendimiento de conmutación
Encapsulado PowerFLAT 8x8 HV
Conforme a RoHS
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