MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL10N60M6, VDSS 600 V, ID 5.5 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 192-4825
- Referência do fabricante:
- STL10N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 192-4825
- Referência do fabricante:
- STL10N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 660mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6mm | |
| Altura | 0.95mm | |
| Anchura | 5 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 660mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6mm | ||
Altura 0.95mm | ||
Anchura 5 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
La nueva tecnología MDmesh™ M6 incorpora los avances más recientes a la conocida y consolidada familia MDmesh de los MOSFETs SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles, así como una experiencia fácil de usar para obtener la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.
Reducción de las pérdidas de conmutación
RDS(on) inferior por área frente a la generación anterior
Resistencia de entrada de punto de inyección baja
Protección Zener
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