STMicroelectronics, N-Canal STF18N60M6, VDSS 600 V, ID 13 A, TO-220FP, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 192-4652
- Referência do fabricante:
- STF18N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 192-4652
- Referência do fabricante:
- STF18N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 600 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 13 A | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | 1.6 V | |
| Altura | 16.4 mm | |
| Longitud | 10.4 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 280 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 25 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante, Orificio pasante | |
| Serie | Mdmesh M6 | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 16.8 nC | |
| Anchura | 4.6 mm | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 600 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 13 A | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) 1.6 V | ||
Altura 16.4 mm | ||
Longitud 10.4 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 280 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 25 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante, Orificio pasante | ||
Serie Mdmesh M6 | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 16.8 nC | ||
Anchura 4.6 mm | ||
- COO (País de Origem):
- CN
The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
Zener-protected
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