MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STF13NM60N, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220FP, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 103-1999
- Referência do fabricante:
- STF13NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 103-1999
- Referência do fabricante:
- STF13NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Serie | MDmesh | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 16.4mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Serie MDmesh | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 16.4mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
MOSFET de potencia de canal N de 600 V, 280 mOhm típ., 11 A MDmesh II en un encapsulado TO-220FP
Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N que incorporan la segunda generación de tecnología MDmesh. Estos revolucionarios MOSFET de potencia asocian una estructura vertical al diseño de bandas de la empresa para conseguir una de las cargas de puerta y resistencia de conexión más bajas del mundo. Por tanto, son adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.