MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STF13NM60N, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220FP, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 103-1999
- Referência do fabricante:
- STF13NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 103-1999
- Referência do fabricante:
- STF13NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 16.4mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie MDmesh | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 16.4mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
MOSFET de potencia de canal N de 600 V, 280 mOhm típ., 11 A MDmesh II en un encapsulado TO-220FP
Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N que incorporan la segunda generación de tecnología MDmesh. Estos revolucionarios MOSFET de potencia asocian una estructura vertical al diseño de bandas de la empresa para conseguir una de las cargas de puerta y resistencia de conexión más bajas del mundo. Por tanto, son adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
Todas las características
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF13NM60N, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- STMicroelectronics, Tipo N, Tipo N-Canal STF18N60M6, VDSS 600 V, ID 13 A, TO-220FP, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics STF45N10F7, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics STP6NK60ZFP, VDSS 600 V, ID 6 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 100 V, ID -11 A, TO-220FP, 1, config. Simple
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal IRFI9540GPBF, VDSS 100 V, ID -11 A, TO-220FP, 1, config. Simple
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPA90R340C3XKSA1, VDSS 900 V, ID 15 A, TO-220FP, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 11 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines