MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STF13NM60N, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220FP, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 103-1999
- Referência do fabricante:
- STF13NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 103-1999
- Referência do fabricante:
- STF13NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 600 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 11 A | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 16.4 mm | |
| Longitud | 10.4 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 360 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V, -25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 25 W | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | MDmesh | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 600 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 11 A | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 16.4 mm | ||
Longitud 10.4 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 360 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V, -25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 25 W | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie MDmesh | ||
Anchura 4.6 mm | ||
N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
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