MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo N-Canal IPA093N06N3GXKSA1, VDSS 60 V, ID 43 A, TO-220FP, Mejora de 3 pines, 1, config.

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Código RS:
165-8110
Referência do fabricante:
IPA093N06N3GXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

43A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

OptiMOS 3

Encapsulado

TO-220FP

Tipo de montaje

Orificio pasante, Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Simple

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.85mm

Longitud

10.65mm

Altura

16.15mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

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MOSFET de conmutación rápida para SMPS

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Transistores MOSFET, Infineon


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