MOSFET Vishay, N-Canal SQ4920EY-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 fita de 5 unidades)*

10,74 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 01 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Fita*
5 - 452,148 €10,74 €
50 - 1202,02 €10,10 €
125 - 2451,822 €9,11 €
250 - 4951,716 €8,58 €
500 +1,61 €8,05 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
787-9462
Referência do fabricante:
SQ4920EY-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

4.4W

Tensión directa Vf

0.75V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4mm

Altura

1.5mm

Longitud

5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.