MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SI2302DDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 152-6358
- Referência do fabricante:
- SI2302DDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 152-6358
- Referência do fabricante:
- SI2302DDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.075Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.86W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±8 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.02mm | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.075Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.86W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±8 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.02mm | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Libre de halógenos
MOSFET de potencia TrenchFET®
Probado 100 % Rg
APLICACIONES
Conmutación de carga para dispositivos portátiles
Convertidor dc/dc
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