MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 67 A, Mejora, DFN de 5 pines
- Código RS:
- 185-8153
- Referência do fabricante:
- NVMFS5H663NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- 185-8153
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- NVMFS5H663NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 67A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NVMFS5H663NL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 63W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.05mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Longitud | 5.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 67A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NVMFS5H663NL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 63W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.05mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Longitud 5.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não conforme
- COO (País de Origem):
- MY
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
PPAP Capable
These Devices are Pb−Free
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