MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 313 A, Mejora, DFN de 8 pines

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Código RS:
195-2663
Referência do fabricante:
NTMFSC0D9N04CL
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

313A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

850μΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

167W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

143nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.95mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.9mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET de canal N se fabrica mediante el proceso Advanced Power Trench® DE ON Semiconductor. Se han combinado los avances en las tecnologías de encapsulado de silicio y Dual Cool™ para ofrecer el RDS(on) más bajo al tiempo que se mantiene un excelente rendimiento de conmutación gracias a la resistencia térmica extremadamente baja de conexión a ambiente.

Parte Top y parte inferior expuestas en configuración de pines 5x6mm estándar

Disipación térmica mejorada a través de Top y Bottom Side del encapsulado

RDS(on) ultrabajo

Pérdida de conducción reducida

Capacitancias reducidas e inductancia de encapsulado

Pérdida de conmutación reducida

Aplicación

Rectificador síncrono en fuentes de alimentación ac-dc y dc-dc

Interruptor Del Motor

Interruptor de carga

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