MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 25 V, ID 365 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 202-5709
- Referência do fabricante:
- NTMFS0D8N02P1ET1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*
2 325,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 29 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 1,55 € | 2 325,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 202-5709
- Referência do fabricante:
- NTMFS0D8N02P1ET1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 365A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.68mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 139W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.3mm | |
| Longitud | 5.3mm | |
| Anchura | 1.1 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 365A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.68mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 139W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.3mm | ||
Longitud 5.3mm | ||
Anchura 1.1 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET ON Semiconductor Power de un canal N funciona con 365 amperios y 25 voltios. Se puede utilizar en interruptor de carga de potencia, gestión de batería de portátil, convertidor dc/dc.
Baja resistencia de drenaje a encendido de la fuente
Pequeña huella
Baja capacitancia
Sin plomo
En conformidad con RoHS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS0D8N02P1ET1G, VDSS 25 V, ID 365 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 89 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 103 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 67 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 433 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 477 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 136 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 313 A, Mejora, DFN de 8 pines