MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 184-4156
- Referência do fabricante:
- 2N7000-D26Z
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 184-4156
- Referência do fabricante:
- 2N7000-D26Z
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 200mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Serie | 2N7000 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 400mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.88V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5.2mm | |
| Altura | 5.33mm | |
| Anchura | 4.19 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 200mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Serie 2N7000 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 400mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.88V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5.2mm | ||
Altura 5.33mm | ||
Anchura 4.19 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
These N-channel Small Signal MOSFETs are produced using ON Semiconductor's proprietary, high cell density, DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400 mA DC and can deliver pulsed currents up to 2 A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications.
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High Saturation Current Capability
Rugged and Reliable
High Density Cell Design for Low RDS(ON)
Applications
Small Servo Motor Control
Power MOSFET Gate Drivers
Assorted Switching Applications
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