MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 169-8553
- Referência do fabricante:
- 2N7000
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 10000 unidades)*
1 170,00 €
Adicione 10000 unidades para obter entrega gratuita
Fora de stock temporariamente
- Envio de 10.000 unidade(s) a partir do dia 30 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 10000 + | 0,117 € | 1 170,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 169-8553
- Referência do fabricante:
- 2N7000
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 200mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Serie | 2N7000 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.88V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 400mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.19 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.2mm | |
| Altura | 5.33mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 200mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Serie 2N7000 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.88V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 400mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.19 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.2mm | ||
Altura 5.33mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia avanzado, Fairchild Semiconductor
Tecnología resistente a avalanchas
Tecnología de óxido de compuerta resistente
Capacitancia de entrada inferior
Carga de puerta mejorada
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi 2N7000, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi 2N7000-D26Z, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Microchip 2N7000-G, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi 2N7000TA, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 500 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi BS170, VDSS 60 V, ID 500 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines