MOSFET, Tipo N-Canal onsemi 2N7000-D26Z, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 184-4881
- Referência do fabricante:
- 2N7000-D26Z
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 100 unidades)*
20,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 2200 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 2000 unidade(s) para enviar a partir do dia 16 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,20 € | 20,00 € |
| 500 - 900 | 0,173 € | 17,30 € |
| 1000 + | 0,15 € | 15,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 184-4881
- Referência do fabricante:
- 2N7000-D26Z
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 200mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | 2N7000 | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 400mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.88V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.2mm | |
| Altura | 5.33mm | |
| Anchura | 4.19 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 200mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie 2N7000 | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 400mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.88V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.2mm | ||
Altura 5.33mm | ||
Anchura 4.19 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
These N-channel Small Signal MOSFETs are produced using ON Semiconductor's proprietary, high cell density, DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400 mA DC and can deliver pulsed currents up to 2 A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications.
Voltage Controlled Small Signal Switch
High Saturation Current Capability
Rugged and Reliable
High Density Cell Design for Low RDS(ON)
Applications
Small Servo Motor Control
Power MOSFET Gate Drivers
Assorted Switching Applications
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi 2N7000-D26Z, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi 2N7000, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Microchip 2N7000-G, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET de señal pequeña onsemi, Tipo N-Canal BS170-D26Z, VDSS 60 V, ID 0.5 A, TO-92, N de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET de señal pequeña onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 0.5 A, TO-92, N de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 92 A, Mejora, TO-263 de 3 pines