MOSFET, Tipo N-Canal onsemi 2N7000TA, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines

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Código RS:
124-1310
Referência do fabricante:
2N7000TA
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

200mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

2N7000

Encapsulado

TO-92

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.88V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

400mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.8nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

5.33mm

Anchura

4.19 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.2mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia avanzado, Fairchild Semiconductor


Tecnología resistente a avalanchas

Tecnología de óxido de compuerta resistente

Capacitancia de entrada inferior

Carga de puerta mejorada

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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