MOSFET ROHM RUF025N02TL, VDSS 20 V, ID 2.5 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 183-5146
- Referência do fabricante:
- RUF025N02TL
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 183-5146
- Referência do fabricante:
- RUF025N02TL
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 2.5 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 20 V | |
| Serie | RUF025N02 | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-323 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 160 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 1.3V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.3V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 800 mW | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±10 V | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V | |
| Ancho | 1.8mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | 150 °C | |
| Longitud | 2.1mm | |
| Tensión de diodo directa | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 0.82mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 2.5 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 20 V | ||
Serie RUF025N02 | ||
Tipo de Encapsulado SOT-323 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 160 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 1.3V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 0.3V | ||
Disipación de Potencia Máxima 800 mW | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente ±10 V | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 5 nC @ 4.5 V | ||
Ancho 1.8mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento 150 °C | ||
Longitud 2.1mm | ||
Tensión de diodo directa 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 0.82mm | ||
- COO (País de Origem):
- JP
Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.
Low voltage(1.5V) drive type
Nch Small-signal MOSFET
Small Surface Mount Package
Pb Free
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