MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RU1C002ZPTCL, VDSS 20 V, ID 200 mA, Mejora, SOT-323 de 3 pines

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Código RS:
124-6835
Referência do fabricante:
RU1C002ZPTCL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

200mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SOT-323

Serie

RU1C002ZP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.4nC

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

150mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1mm

Longitud

2.1mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

1.35 mm

Estándar de automoción

No

Transistores MOSFET de canal P, ROHM


Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor


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