MOSFET ROHM, N-Canal RQ3L050GNTB, VDSS 60 V, ID 12 A, HSMT, Mejora de 8 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 133-3297
- Referência do fabricante:
- RQ3L050GNTB
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 133-3297
- Referência do fabricante:
- RQ3L050GNTB
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 60 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 12 A | |
| Encapsulado | HSMT | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 8 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión directa (Vf) | 1.2 V | |
| Altura | 850 μm | |
| Longitud | 3.3 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 86 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V, -20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 14.8 W | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | RQ3L050GN | |
| Anchura | 3.1 mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 60 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 12 A | ||
Encapsulado HSMT | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 8 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión directa (Vf) 1.2 V | ||
Altura 850 μm | ||
Longitud 3.3 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 86 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V, -20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 14.8 W | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie RQ3L050GN | ||
Anchura 3.1 mm | ||
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
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