MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 25 V, ID 150 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 205-2431
- Referência do fabricante:
- NTTFS1D8N02P1E
- Fabricante:
- onsemi
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- 205-2431
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- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | Power | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 46W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.7mm | |
| Anchura | 3.2 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie Power | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 46W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.7mm | ||
Anchura 3.2 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N 25V de la serie Power33 de ON Semiconductor se fabrica mediante un proceso Advanced que incorpora tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.
La corriente de drenaje máxima nominal es de 150A
La resistencia nominal de drenaje a fuente es de 1,3 Mohmios
Tamaño pequeño para un diseño compacto
Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
QG bajo y capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
100% sometido a pruebas UIL
El encapsulado es Power 33 (PQFN8)
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