MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDPF4D5N10C, VDSS 100 V, ID 128 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
181-1917
Referência do fabricante:
FDPF4D5N10C
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

128A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

FDPF

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

37.5W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.9 mm

Altura

16.07mm

Longitud

10.36mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Max RDS(on) = 4.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 128 A

Power Density & Shielded Gate Power Density & Shielded Gate High efficiency / High performance

High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)

High power density with Shielded gate technology

Extremely Low Reverse Recovery Charge, Qrr

Low Vds spike internal snubber function.

Low Gate Charge, QG = 48nC (Typ.)

Low switching loss

High Power and Current Handling Capability

Low Qrr/Trr

Soft recovery performance

Synchronous Rectification for ATX / Server / Workstation / Telecom PSU / Adapter and Industrial Power Supplies.

Motor drives and Uninterruptible Power Supplies

Micro Solar Inverter

Server

Telecom

Computing (ATX, Workstation, Adapter, Industrial Power Supplies etc.)

Motor Drive

Uninterruptible Power Supplies

Solar Inverter

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