Referência do fabricante

MOSFET Vishay, N-Canal IRLR110PBF, VDSS 100 V, ID 4.3 A de 3 pines, 1, config. Simple

Código RS:: 180-8833
Referência do fabricante:: IRLR110PBF
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, N-Canal IRLR110PBF, VDSS 100 V, ID 4.3 A de 3 pines, 1, config. Simple

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

7,44 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €

Em stock

40 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição

Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)	Por unidade	Por Embalagem*
10 +	0,744 €	7,44 €

*preço indicativo

Código RS:: 180-8833
Referência do fabricante:: IRLR110PBF
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Tipo de montaje	Superficie, Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.54Ω
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	10V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.1nC
	Disipación de potencia máxima Pd	25W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Configuración de transistor	Simple
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Anchura	6.73mm
	Longitud	9.65mm
	Número de elementos por chip	1
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Tipo de montaje Superficie, Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.54Ω
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.1nC
	Disipación de potencia máxima Pd 25W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Configuración de transistor Simple
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Anchura 6.73mm
	Longitud 9.65mm
	Número de elementos por chip 1
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de Vishay es un encapsulado de canal N, el TO-252-3 es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100 V y una tensión de fuente de puerta máxima de 10 V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 540 mohm a una tensión de fuente de puerta de 5 V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 25 W. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida útil larga y productiva sin comprometer el rendimiento o la funcionalidad.

Características y ventajas

• Disponible en cinta y carrete

• Valor nominal dV/dt dinámico

• Componente sin halógenos ni plomo (Pb)

• Unidad de puerta de nivel lógico

• Rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C

• El RDS (on) especificado en VGS es de 4 V y 5 V

• Valor nominal de avalancha repetitiva

Aplicaciones

• Cargadores de batería

• Inversores

• Fuentes de alimentación

• Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.