MOSFET Vishay, N-Canal IRLR110PBF, VDSS 100 V, ID 4.3 A de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8363
- Referência do fabricante:
- IRLR110PBF
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
- Código RS:
- 180-8363
- Referência do fabricante:
- IRLR110PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Tipo de montaje | Superficie, Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.54Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 25W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Anchura | 6.73mm | |
| Longitud | 9.65mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Tipo de montaje Superficie, Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.54Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.1nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 25W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Anchura 6.73mm | ||
Longitud 9.65mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de Vishay es un encapsulado de canal N, el TO-252-3 es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100 V y una tensión de fuente de puerta máxima de 10 V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 540 mohm a una tensión de fuente de puerta de 5 V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 25 W. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida útil larga y productiva sin comprometer el rendimiento o la funcionalidad.
Características y ventajas
• Disponible en cinta y carrete
• Valor nominal dV/dt dinámico
• Componente sin halógenos ni plomo (Pb)
• Unidad de puerta de nivel lógico
• Rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C
• El RDS (on) especificado en VGS es de 4 V y 5 V
• Valor nominal de avalancha repetitiva
Aplicaciones
• Cargadores de batería
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
Links relacionados
- MOSFET Vishay, N-Canal IRLR110PBF, VDSS 100 V, ID 4.3 A de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Vishay, N-Canal IRF730ASPBF, VDSS 400 V, ID 5.5 A, 1, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay, N-Canal IRFR420APBF, VDSS 500 V, ID 3.3 A, 1, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay, N-Canal IRLZ14SPBF, VDSS 60 V, ID 10 A, 1, config. Simple
- MOSFET Vishay, N-Canal IRFU120PBF, VDSS 100 V, ID 7.7 A de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay, N-Canal IRFS11N50APBF, VDSS 500 V, ID 11 A, TO-263, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay, N-Canal IRFPC40PBF, VDSS 600 V, ID 6.8 A, TO-247AC, config. Simple
- MOSFET Vishay, N-Canal SIHG47N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 47 A, TO-247AC, config. Simple