MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIHG47N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 47 A, TO-247AC, config. Simple
- Código RS:
- 180-7734
- Referência do fabricante:
- SIHG47N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-7734
- Referência do fabricante:
- SIHG47N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 47A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | E | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.072Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 273nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 417W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 47A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie E | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.072Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 273nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 417W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET DE canal N TO-247AC-3 de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 650V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 72mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 417W mW y una corriente de drenaje continua de 47A A. Tiene una tensión de accionamiento de 10V V. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Baja figura de mérito (FOM) Ron x QG
• Baja capacitancia de entrada (CISS)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• Reducción de pérdidas de conducción y conmutación
• Carga de compuerta ultrabaja (QG)
Aplicaciones
• Cargador de baterías
• Iluminación de balasto fluorescente
• Descarga de alta intensidad (HID)
• Controladores de motor
• Fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia (PFC)
• Energía renovable
• Fuentes de alimentación para servidores y telecomunicaciones
• inversores fotovoltaicos solares
• Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• UIS probado
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