MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRFBC20SPBF, VDSS 600 V, ID 2.2 A de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8646
- Referência do fabricante:
- IRFBC20SPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- IRFBC20SPBF
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante, Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.4Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.1W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Tipo de montaje Orificio pasante, Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.4Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.1W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El IRFBC20S de Vishay es un MOSFET de potencia de canal N con una tensión de drenaje a fuente (Vds) de 600 V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 20 V. Dispone de encapsulado I2PAK (TO-262) y D2PAK (TO-263). Ofrece una resistencia de drenaje a fuente (RDS) de 4,4 ohmios a 10 VGS. Corriente de drenaje máxima de 2,2 A.
Montaje superficial
Valor nominal dV/dt dinámico
Temperatura de funcionamiento de 150 °C
Conmutación rápida
Valor nominal de avalancha total
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