MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRFP27N60KPBF, VDSS 600 V, ID 27 A, TO-247AC de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 180-8633
- Referência do fabricante:
- IRFP27N60KPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8633
- Referência do fabricante:
- IRFP27N60KPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 27A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.22Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 180nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Longitud | 16.25mm | |
| Anchura | 15.87 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 27A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.22Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
Longitud 16.25mm | ||
Anchura 15.87 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-247AC-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 600V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 220ohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 500W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Capacidad dv/dt de diodo de cuerpo mejorada
• Capacidad completamente caracterizada y tensión y corriente de avalancha
• Puerta mejorada, avalancha y dv/dt dinámico
• Componente sin plomo (Pb)
• La carga de compuerta baja QG da como resultado un simple requisito de accionamiento
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
Aplicaciones
• Circuitos de alta frecuencia y conmutación dura
• Conmutación de potencia de alta velocidad
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
• Fuentes de alimentación ininterrumpida
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