MOSFET Vishay, N-Canal IRFP32N50KPBF, VDSS 500 V, ID 32 A, TO-247AC de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 180-8335
- Referência do fabricante:
- IRFP32N50KPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8335
- Referência do fabricante:
- IRFP32N50KPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 500 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 32 A | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Número de pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Estándar de automoción | No | |
| Longitud | 16.25 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.16 Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 460 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 190 nC | |
| Anchura | 15.87 mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 500 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 32 A | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Número de pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Estándar de automoción No | ||
Longitud 16.25 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.16 Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 460 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 190 nC | ||
Anchura 15.87 mm | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-247AC-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 500V and maximum gate-source voltage of 30V. It has a drain-source resistance of 160mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 460W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt
• Lead (Pb) free component
• Low gate charge Qg results in simple drive requirement
• Low RDS (on)
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
Applications
• Hard switching and high frequency circuits
• High speed power switching
• Switch mode power supply (SMPS)
• Uninterruptible power supplies
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