MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRFI644GPBF, VDSS 250 V, ID 7.9 A, TO-220FP, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8325
- Referência do fabricante:
- IRFI644GPBF
- Fabricante:
- Vishay
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*preço indicativo
- Código RS:
- 180-8325
- Referência do fabricante:
- IRFI644GPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.28Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 68nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.28Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 68nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-220-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 250V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 77mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 48W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Índice dv/dt dinámico
• encapsulado aislado
• Componente sin plomo (Pb)
• Baja resistencia térmica
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• La distancia de separación entre el disipador y el cable es de 4,8 mm
Aplicaciones
• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
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