MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIS476DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- Código RS:
- 180-7743
- Referência do fabricante:
- SIS476DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-7743
- Referência do fabricante:
- SIS476DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0035Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Longitud | 3.61mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0035Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Longitud 3.61mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El Vishay SIS476DN es un MOSFET de canal N que tiene una tensión de drenador a fuente (VDS) de 30V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 20V V. Tiene encapsulado Power PAK 1212-8. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,0025ohms a 10VGS y 0,0035ohms a 4,5VGS. Corriente de drenaje máxima: 40A A.
MOSFET de potencia Trench FET gen IV
100 % Rg y UIS probados
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