MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 40 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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Código RS:
180-7361
Referência do fabricante:
SIS476DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0035Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.12mm

Certificaciones y estándares

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Anchura

3.61 mm

Longitud

3.61mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El Vishay SIS476DN es un MOSFET de canal N que tiene una tensión de drenador a fuente (VDS) de 30V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 20V V. Tiene encapsulado Power PAK 1212-8. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,0025ohms a 10VGS y 0,0035ohms a 4,5VGS. Corriente de drenaje máxima: 40A A.

MOSFET de potencia Trench FET gen IV

100 % Rg y UIS probados

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