MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

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Código RS:
268-8299
Referência do fabricante:
SIHG150N60E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247AC

Serie

SIHG

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.158Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

15.7mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay tiene pérdidas de conmutación y conducción reducidas y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia.

Baja capacitancia efectiva

Energía nominal de avalancha

Baja cifra de mérito

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