MOSFET, N-Canal Vishay SIHG150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 268-8299
- Referência do fabricante:
- SIHG150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 268-8299
- Referência do fabricante:
- SIHG150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SIHG | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.158Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.7mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SIHG | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.158Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.7mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET serie SIHG de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 22 A - SIHG150N60E-GE3
Características y ventajas:
• La corriente continua de 22 A admite una manipulación de carga sustancial
• La Rds(on) de 0,158 Ω reduce las pérdidas por conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 36 nC optimiza la dinámica de conmutación
• La disipación de potencia máxima de 179 W permite un uso de alta potencia
• La tolerancia de puerta de 30 V admite tensiones de controlador comunes
Aplicaciones
• Ideal para etapas de accionamiento de motor en sistemas de control
• Se utiliza con fuentes de alimentación y reguladores refrigerados por aire forzado
• Se puede utilizar para SAI y sistemas de conmutación de almacenamiento de energía
• Apto para prototipos de orificio pasante y montajes reparables
¿Qué tipo de encapsulado debo admitir al diseñar una placa?
¿Cómo afecta la temperatura a los límites de funcionamiento continuo?
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se recomiendan para una conmutación eficiente?
¿Qué comportamiento debe tener el diodo durante la conmutación síncrona?
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