Referência do fabricante

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, 1, config. Simple

Código RS:: 180-7355
Referência do fabricante:: SIR882ADP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, 1, config. Simple

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Código RS:: 180-7355
Referência do fabricante:: SIR882ADP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	60A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	PowerPAK SO-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.0087Ω
	Tensión directa Vf	1.1V
	Disipación de potencia máxima Pd	83W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	19.5nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Configuración de transistor	Simple
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	6.25mm
	Anchura	5.26 mm
	Altura	1.12mm
	Número de elementos por chip	1
	Estándar de automoción	No

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	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 60A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado PowerPAK SO-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0087Ω
	Tensión directa Vf 1.1V
	Disipación de potencia máxima Pd 83W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19.5nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Configuración de transistor Simple
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 6.25mm
	Anchura 5.26 mm
	Altura 1.12mm
	Número de elementos por chip 1
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET POWERPAK-SO-8 de canal N de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 8,7mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 83W mW y una corriente de drenaje continua de 60A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Componente sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

MOSFET de potencia TrenchFET de • V para conmutación rápida

Aplicaciones

• Interruptor de lado primario de CC/CC

• Sitios industriales

• Telecom/servidor 48V, puente completo/medio DC/DC

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado

• UIS probado