Referência do fabricante

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 40 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, config. Simple

Código RS:: 180-7310
Referência do fabricante:: SI7139DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 40 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, config. Simple

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Código RS:: 180-7310
Referência do fabricante:: SI7139DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	40A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	PowerPAK SO-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	00090Ω
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	49.5nC
	Disipación de potencia máxima Pd	48W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Simple
	Longitud	6.25mm
	Anchura	5.26 mm
	Altura	1.12mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

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	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 40A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado PowerPAK SO-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 00090Ω
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 49.5nC
	Disipación de potencia máxima Pd 48W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Simple
	Longitud 6.25mm
	Anchura 5.26 mm
	Altura 1.12mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de Vishay es un encapsulado POWERPAK-SO-8 de canal P y es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 5,5mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 48W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• Interruptores adaptadores

• Interruptores de batería

• Interruptores de carga

• Ordenadores portátiles

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado

• UIS probado