MOSFET, N-Canal Vishay SIRA12DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 25 A, PowerPAK SO-8
- Código RS:
- 256-7430
- Referência do fabricante:
- SIRA12DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 256-7430
- Referência do fabricante:
- SIRA12DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0095Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0095Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El iTime de Vishay Semiconductor de canal N de 30 V, 25 A (Tc) 4,5 W (Ta), 31 W (Tc) de montaje superficial es sin halógenos según la definición IEC 61249-2-21 y sus aplicaciones son dc, dc, rectificación síncrona, VRM y dc, dc integrados de alta densidad de potencia.
MOSFET de potencia TrenchFET gen IV
Probado al 100 % Rg y UIS
Conformidad con la directiva RoHS 2002/95/EC
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