MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 3.5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
180-7270
Referência do fabricante:
SI2307CDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

138mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.1nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.14W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

2.64 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.12mm

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET de canal P doble de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 88mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una corriente de drenaje continua de 3,5A A y una potencia nominal máxima de 1,8W W. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 4,5V V y 10V V respectivamente. Tiene aplicación en interruptores de carga para dispositivos portátiles. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Certificaciones


• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

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