MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2377EDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3.5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Obtenha um desconto por quantidade

Adicione mais 200 para poupar 19,20 €

Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*

8,04 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 6620 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
Poupança
20 - 1800,402 €8,04 €-
200 - 4800,306 €6,12 €19,20 €
500 - 9800,282 €5,64 €60,00 €
1000 - 19800,241 €4,82 €161,00 €
2000 +0,21 €4,20 €384,00 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
812-3145
Referência do fabricante:
SI2377EDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

Si2377EDS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

165mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-8V, +8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

800mV

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.8W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.02mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.4mm

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.