MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Siliconix, VDSS 200 V, ID 9.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 178-3873P
- Referência do fabricante:
- SQJ431AEP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
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- Código RS:
- 178-3873P
- Referência do fabricante:
- SQJ431AEP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay Siliconix | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 760mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.07mm | |
| Longitud | 5.99mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay Siliconix | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 760mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.07mm | ||
Longitud 5.99mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- CN
TrenchFET® power MOSFET
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