MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Siliconix, VDSS 200 V, ID 9.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
178-3718
Referência do fabricante:
SQJ431AEP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

760mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

55nC

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5 mm

Altura

1.07mm

Longitud

5.99mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
CN
TrenchFET® power MOSFET

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