MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Siliconix, VDSS 40 V, ID 3.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 178-3853P
- Referência do fabricante:
- Si2319DDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
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- Código RS:
- 178-3853P
- Referência do fabricante:
- Si2319DDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay Siliconix | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.7W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay Siliconix | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.7W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.04mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- CN
mosfet de vishay
El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 40V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 75mohms a una tensión de fuente de compuerta de 10V. Tiene una capacidad máxima de disipación de energía de 1,7 W y una corriente continua de drenaje de 3,6 A. El voltaje de conducción mínimo y máximo para este MOSFET es de 4,5 V y 10V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin Plomo (Pb)
• rango de temperaturas de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• interruptor de la batería
• interruptor de carga
• Control de la transmisión del motor
Certificaciones
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• pruebas De Cr
• pruebas de IEU
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