Referência do fabricante

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Siliconix, VDSS 40 V, ID 3.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 178-3663
Referência do fabricante:: Si2319DDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay Siliconix

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Siliconix, VDSS 40 V, ID 3.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:: 178-3663
Referência do fabricante:: Si2319DDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay Siliconix

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay Siliconix
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Encapsulado	SOT-23
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	100mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	12.5nC
	Disipación de potencia máxima Pd	1.7W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	3.04mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.02mm
	Anchura	1.4 mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Vishay Siliconix
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Encapsulado SOT-23
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf -1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.5nC
	Disipación de potencia máxima Pd 1.7W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 3.04mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.02mm
	Anchura 1.4 mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):: CN

mosfet de vishay

El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 40V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 75mohms a una tensión de fuente de compuerta de 10V. Tiene una capacidad máxima de disipación de energía de 1,7 W y una corriente continua de drenaje de 3,6 A. El voltaje de conducción mínimo y máximo para este MOSFET es de 4,5 V y 10V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin Plomo (Pb)

• rango de temperaturas de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• interruptor de la batería

• interruptor de carga

• Control de la transmisión del motor

Certificaciones

• ANSI/ESD S20.20:2014

• bs en 61340-5-1:2007

• pruebas De Cr

• pruebas de IEU