MOSFET de potencia, N-Canal Vishay IRFB9N60APBF, VDSS 600 V, ID 9.2 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 178-0821
- Referência do fabricante:
- IRFB9N60APBF
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
82,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 950 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,644 € | 82,20 € |
| 100 - 200 | 1,398 € | 69,90 € |
| 250 + | 1,315 € | 65,75 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 178-0821
- Referência do fabricante:
- IRFB9N60APBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFB9N60A | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 750mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 49nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30, +30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.41mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Altura | 9.01mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFB9N60A | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 750mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 49nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30, +30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.41mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 4.7mm | ||
Altura 9.01mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de la serie IRFB9N60A de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua de 9,2 A - IRFB9N60APBF
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y amplificación en electrónica industrial. Funciona como dispositivo de modo de mejora y se suministra en un encapsulado de orificio pasante TO-220AB adecuado para montaje en disipador térmico. El componente está diseñado para funcionar en un amplio rango de temperaturas, lo que lo convierte en adecuado para entornos térmicos exigentes.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 600 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 9.2 A admite corrientes de carga moderadas
• La Rds(on) de 750 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación máxima de 170 W permite un manejo de alta potencia
• La carga de puerta típica de 49 nC permite una dinámica de conmutación controlada
• La tolerancia de puerta de 30 V admite tensiones de accionamiento de puerta estándar
• La corriente de drenaje continua de 9.2 A admite corrientes de carga moderadas
• La Rds(on) de 750 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación máxima de 170 W permite un manejo de alta potencia
• La carga de puerta típica de 49 nC permite una dinámica de conmutación controlada
• La tolerancia de puerta de 30 V admite tensiones de accionamiento de puerta estándar
Aplicaciones
• Adecuado para fuentes de alimentación fuera de línea y SMPS
• Ideal para etapas de inversor y accionamiento de motor
• Se utiliza con diseños de convertidores dc-dc de alta tensión
• Puede utilizarse para conmutar cargas inductivas en equipos industriales
• Se utiliza para prototipos de etapa de potencia en placas de desarrollo de orificio pasante
• Ideal para etapas de inversor y accionamiento de motor
• Se utiliza con diseños de convertidores dc-dc de alta tensión
• Puede utilizarse para conmutar cargas inductivas en equipos industriales
• Se utiliza para prototipos de etapa de potencia en placas de desarrollo de orificio pasante
¿Qué extremos térmicos puede tolerar el dispositivo en funcionamiento?
Está especificado para funcionar de –55 a 150 °C de temperatura ambiente, soportando arranques a baja temperatura y tensión térmica elevada.
¿Cómo admite el encapsulado el montaje y la refrigeración en los sistemas?
El contorno TO-220AB permite una fijación pasante segura y una fijación directa a un disipador térmico para mejorar la conducción térmica.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta son necesarias para el rendimiento de conmutación?
Las tensiones de accionamiento deben permanecer dentro de ±30 V de puerta a fuente
Las influencias de carga de puerta de 49 nC requieren corriente de controlador para una velocidad de conmutación específica.
¿Es adecuado el dispositivo para aplicaciones de automoción?
No se caracteriza por los estándares de automoción y, por tanto, se recomienda para despliegues industriales en lugar de certificados de automoción.
Links relacionados
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay IRFB9N60APBF, VDSS 600 V, ID 9.2 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 51 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 92 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 79 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 48 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 202 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay IRF840APBF, VDSS 500 V, ID 8 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay IRF820PBF, VDSS 500 V, ID 2.5 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines