MOSFET Microchip, N-Canal TN0110N3-G, VDSS 100 V, ID 350 mA, TO-92, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 177-9742
- Referência do fabricante:
- TN0110N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 177-9742
- Referência do fabricante:
- TN0110N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 100 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 350 mA | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión directa (Vf) | 1.5 V | |
| Altura | 5.33 mm | |
| Longitud | 5.08 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 4.5 Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 1 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | TN0110 | |
| Anchura | 4.06 mm | |
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|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 100 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 350 mA | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión directa (Vf) 1.5 V | ||
Altura 5.33 mm | ||
Longitud 5.08 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 4.5 Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 1 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie TN0110 | ||
Anchura 4.06 mm | ||
- COO (País de Origem):
- TW
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Low threshold - 2.0V max.
High input impedance
Low input capacitance - 50pF typical
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
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