MOSFET Microchip, N-Canal TN0110N3-G, VDSS 100 V, ID 350 mA, TO-92, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 177-9742
- Referência do fabricante:
- TN0110N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 177-9742
- Referência do fabricante:
- TN0110N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Serie | TN0110 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Anchura | 4.06mm | |
| Longitud | 5.08mm | |
| Altura | 5.33mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Serie TN0110 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Anchura 4.06mm | ||
Longitud 5.08mm | ||
Altura 5.33mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
- COO (País de Origem):
- TW
Este transistor de modo de mejora (normalmente apagado) de umbral bajo utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con la capacidad de manejo de potencia de los transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherentes a los dispositivos MOS. Característico de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de desbocamiento térmico y avería secundaria inducida térmicamente. Los FET verticales de DMOS son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación en las que se desea una tensión de umbral muy baja, una tensión de ruptura alta, una impedancia de entrada alta, una capacitancia de entrada baja y velocidades de conmutación rápidas.
Umbral bajo - 2,0 V máx.
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada - 50 pF típico
Velocidad de conmutación rápida
Baja resistencia de conexión
Libre de averías secundarias
Baja fuga de entrada y salida
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