MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN210N30P3, VDSS 300 V, ID 192 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 tubo de 10 unidades)*

356,32 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio de 240 unidade(s) a partir do dia 17 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
10 +35,632 €356,32 €

*preço indicativo

Código RS:
177-5342
Referência do fabricante:
IXFN210N30P3
Fabricante:
IXYS
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

192A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

300V

Serie

HiperFET, Polar3

Encapsulado

SOT-227

Tipo de montaje

Panel

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

268nC

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

1.5kW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

25.07 mm

Longitud

38.23mm

Altura

9.6mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™


Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)

Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Links relacionados