MOSFET, N-Canal IXYS IXFN102N30P, VDSS 300 V, ID 86 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Código RS:
193-464
Número do artigo Distrelec:
302-53-358
Referência do fabricante:
IXFN102N30P
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

86A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

300V

Encapsulado

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Panel

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

33mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

570W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

224nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

25.42mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

38.23mm

Altura

9.6mm

Estándar de automoción

No

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