MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 200 V, ID 2.6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
173-0711
Referência do fabricante:
IRFR210TRPBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

IRFR

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Orificio pasante, Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

25W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.38mm

Anchura

6.22 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY

MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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