MOSFET de potencia, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 29 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 166-1700
- Referência do fabricante:
- FDD3860
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Informação de stock atualmente indisponível
- Código RS:
- 166-1700
- Referência do fabricante:
- FDD3860
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 29A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 36mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 29A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 36mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.39mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 20 A a 59,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal onsemi FDD3860, VDSS 100 V, ID 29 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 29 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NVMFD5C478NLT1G, VDSS 40 V, ID 29 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 29 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 252 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH008T120M3F2PTHG, VDSS 1200 V, ID 129 A, Mejora, PIM29 de 29 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTTFS4C02NTAG, VDSS 30 V, ID 29 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMYS1D3N04CTWG, VDSS 40 V, ID 252 A, Mejora, LFPAK de 4 pines